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具有低击穿电压特性的Si/GeSACM雪崩光电二极管（APD）包括具有特定厚度和掺杂浓度的各种层的倍增区域和吸收区域。光波导可以引导红外和/或光信号或能量进入吸收区域。产生的光生载流子被扫入i-Si层和/或倍增区域用于雪崩倍增。APD具有充...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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