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一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法技术
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文档序号:10389287
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本发明公开了一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法。纳米管与微米管是由单晶Si衬底上外延生长的III-V族应变半导体薄膜自卷曲所形成两端非封闭的圆柱形中空管状结构,其直径为1nm-100μm,其长度为1μm-1mm。这种管状结构在硅...
该专利属于北京邮电大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京邮电大学授权不得商用。
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