一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法。纳米管与微米管是由单晶Si衬底上外延生长的III-V族应变半导体薄膜自卷曲所形成两端非封闭的圆柱形中空管状结构，其直径为1nm-100μm，其长度为1μm-1mm。这种管状结构在硅基光子学、微电机系统、传感等领域都有极大的应用价值。本发明专利技术集成了“由下至上”的异变外延生长和“由上而下”的光刻腐蚀技术。通过侧向腐蚀III-V族牺牲层，使III-V族应变双层薄膜从Si上释放并卷曲成管。该方法与III-V族光电子与微电子器件工艺兼容，具有制管工艺简单、管形貌好、管尺寸可控等优点，易在Si上形成大面积、规则一致的III-V族纳米管或微米管阵列。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅基III‑V族纳米管与微米管，其特征在于，其是生长在单晶Si衬底上的III‑V族应变半导体薄膜，借助III‑V族牺牲层的侧向腐蚀与单晶Si衬底脱离，自卷曲围成两端不封闭的圆柱型中空管状结构，管状结构的直径为1nm‑100μm，长度为1μm‑1mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王琦，王二洋，李伯昌，任晓敏，贾志刚，闫映策，蔡世伟，黄永清，
申请(专利权)人：北京邮电大学，
类型：发明
国别省市：北京;11