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本发明提供晶片产品及包含其的氮化镓基半导体光元件。所述晶片产品的制造方法为，在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，...
该专利属于住友电气工业株式会社;株式会社光波所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社;株式会社光波授权不得商用。

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