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本公开一般地涉及一种肖特基二极管，所述肖特基二极管具有衬底、在所述衬底之上所提供的漂移层和在所述衬底的活性区域之上所提供的肖特基层。结势垒阵列被提供在正好在所述肖特基层下方的漂移层中。所述结势垒阵列的元件通常是漂移层中的掺杂区域。为了增大这...
该专利属于科锐所有，仅供学习研究参考，未经过科锐授权不得商用。

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