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使衬底上方的介电层中的至少一根导电线凹进以形成沟道。所述沟道自对准于所述导电线。能够通过使用包括提供独立于晶体取向的刻蚀的均匀性的抑制剂的化学物质来将所述导电线刻蚀至预定的深度而形成所述沟道。将阻止电迁移的帽层沉积于所述沟道中的所述凹进的导...
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