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本发明属于半导体功率器件制造技术领域，特别是涉及一种沟槽功率器件的制造方法。本发明是在器件的U形凹槽内形成场氧化层后，采用光刻胶作为牺牲介质层，通过控制光刻胶曝光和显影的时间，使得显影后的光刻胶仅保留在U形凹槽内，之后刻蚀掉外露的场氧化层，...
该专利属于苏州东微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州东微半导体有限公司授权不得商用。

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