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本发明公开了一种耐高压半导体器件，包括上台体和与上台体底面面接触的下台体，重掺杂N型区位于轻掺杂N型区正上方并形成第一接触面，所述重掺杂P型区位于轻掺杂P型区正下方并形成第二接触面，所述上台体的轻掺杂N型区与下台体的轻掺杂P型区接触形成PN...
该专利属于苏州市职业大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州市职业大学授权不得商用。

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