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本发明涉及用于具有双层面结构层和声学端口的MEMS结构的方法。一种用于制造MEMS器件的方法包括将第一牺牲层沉积和图案化到硅衬底上，第一牺牲层被部分移除以留下第一剩余氧化物。此外，该方法包括将导电结构层沉积在硅衬底上，导电结构层与硅衬底的至...
该专利属于应美盛股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过应美盛股份有限公司授权不得商用。

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