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本发明涉及集成电路及制造具有金属栅极电极的集成电路的方法，其提供的是集成电路及用于制造集成电路的方法。在示例性实施例中，用于制造集成电路的方法包括在半导体基板上方提供牺牲栅极结构。该牺牲栅极结构包括两间隔件及介于该两间隔件之间的牺牲栅极材料...
该专利属于格罗方德半导体公司;国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司;国际商业机器公司授权不得商用。

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