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本实用新型提供一种半导体器件和包括该半导体器件的集成装置。所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；补偿区，其包括位于所述缓冲层上的p区和n区；以及位于所述补偿区上的多个晶体管单元，所述多个晶体管单元的每一个包括源区、体区、栅电极、...
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