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本实用新型涉及半导体处理装置，公开了一热处理装置，包括热处理加热结构、第二保温部、第三保温部及外壳，其中：热处理加热结构包括第一保温部及加热部，第一保温部环绕待加热样品形成一加热腔，加热部部分嵌入所述第一保温部内，加热部朝向待加热样品的一侧...
该专利属于北京七星华创电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京七星华创电子股份有限公司授权不得商用。

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