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本发明的各个方面提出了高压快速恢复沟槽二极管及其制备方法。该器件具有至少穿过顶部P-层和N-势垒层延伸的沟槽。导电材料沉积在沟槽中，电介质材料内衬导电材料和沟槽侧壁之间的沟槽。重掺杂P-区形成在沟槽之间的顶部P-层的顶部。浮动N-区形成在P...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。

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