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本发明提供了一种半导体结构，包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并且与第一III-V化合物层在成分上不同。载流子沟道位于第一III-V化合物层与第二III-V化合物层之间。源极部件和漏极部件设置在...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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