温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供了一种无结晶体管，包括衬底；以鳍状结构设置在衬底上的埋入电介质层；穿过埋入电介质层设置在衬底中的掺杂区域；设置在埋入电介质层及掺杂区域上方的半导体层；设置在半导体层上的栅极结构以及源/漏极结构。本申请还提供了一种无结晶体管的制备方...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。