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形成磁性器件的自由层的材料成分、自由层和磁性元件制造技术
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下载形成磁性器件的自由层的材料成分、自由层和磁性元件的技术资料
文档序号:10362763
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用于形成STT结构体(例如单或双MTJ结构体)中的自由层的材料成分可包括CoxFeyMz,其中M为帮助形成良好的结晶取向以及所述自由层和MgO界面之间的匹配的非磁性材料。所述材料M可优选不偏析至MgO界面,或者如果其偏析至MgO界面,其不显...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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