下载形成磁性器件的自由层的材料成分、自由层和磁性元件的技术资料

文档序号:10362763

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

用于形成STT结构体(例如单或双MTJ结构体)中的自由层的材料成分可包括CoxFeyMz,其中M为帮助形成良好的结晶取向以及所述自由层和MgO界面之间的匹配的非磁性材料。所述材料M可优选不偏析至MgO界面,或者如果其偏析至MgO界面,其不显...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。