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本发明提供了一种铝刻蚀工艺用聚焦环，通过在其内径侧壁和内径底边上形成一层能够少量吸收刻蚀气体的材料层，从而降低在晶圆边缘的等离子体浓度；进一步地，减小聚焦环内径的尺寸，从而导致在铝刻蚀工艺中晶圆边缘和聚焦环内径的间距减小，更加降低了等离子体...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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