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本发明提出了带有集成的MOSFET和等效增强型JFET的半导体芯片。MOSFET-JFET芯片包括类型-1导电类型的公共半导体衬底区。MOSFET器件和等效增强型JFET器件位于公共半导体衬底区上方。等效二极管增强型JFET器件具有公共半导...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。

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