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本发明实施例提供了一种多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，涉及显示技术领域，可使轻掺杂区的长度一致，从而避免漏电流过大的问题。薄膜晶体管包括：在衬底基板上形成有源层、栅绝缘层、栅电极、源电极和漏电极；有源层包括第一多晶硅区、位于第一多晶...该专利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司授权不得商用。