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本发明公开了一种TFT电极引线制造方法，提出一种优化的电极引线制造方法，通过在传统TFT电极层材料之上，制作非晶化的ITO保护层，制作工艺简单，但可将干法刻蚀工艺对TFT金属电极层的刻蚀选择比达到无穷大，保护了金属电极免受干刻工艺制程影响，...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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