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本发明涉及一种高压光学区熔生长易挥发材料高取向晶体的方法，其特征如下：将电弧熔炼吸铸的原始棒材进行表面打磨后放入两端开口的高纯氧化铝陶瓷管中，然后陶瓷管固定在下料棒轴轴套上，随后封闭炉腔，机械泵抽真空后，返充入高纯氩气。接着预加热钛棒除去炉...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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