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本发明提供一种表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件及其制作方法，其中表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件，包括：一硅衬底，该硅衬底上部分形成硅纳米线阵列结构；多个金属纳米颗粒，该多个金属纳米颗粒不规则地散布在硅纳米线阵列结构的表面；一阴...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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