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本发明涉及一种用于等离子体晶片处理的混合边缘环，具体公开了一种在等离子体处理室中使用的边缘环组件，所述边缘环组件包括：射频导电环，其被定位在底板的环形表面上，并被配置为包围所述底板的上部，且在被定位在所述底板的上表面上的晶片的外缘下面延伸；...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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