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本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法，在VDMOSFET芯片的截止保护区中设置了通孔区，确保器件的截止保护区可以正常工作，节省原有结构中需要额外再增加设置通孔区的面积，控制了使用CSP封装时芯片所需要增加的面积。本发明中，通孔位于芯片截...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

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