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本发明公开了一种测试MOS器件沟道不均匀损伤的方法，主要解决现有技术难以定量分析沟道不均匀损伤效应的问题。其实现步骤是：1.设定器件的标准漏电流与标准低漏压；2.在标准低漏压下扫描栅压，得到漏电流达到标准值时的栅压Vg0；3.在应力条件下，...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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