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本发明实施例公开了一种克服非易失性存储器Erase Stress影响的方法，包括：选择执行擦除操作的存储单元邻近未选择区域内的一个存储单元作为待测存储单元；对所述待测存储单元进行阈值电压裕度检测，所述的阈值电压裕度检测包括两次电压比较；基于...
该专利属于辉芒微电子(深圳)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过辉芒微电子(深圳)有限公司授权不得商用。

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