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栅极倒圆制造技术可被实现以增大晶体管的有效沟道长度并且因此减小与晶体管相关联的漏泄电流和静态功耗。晶体管包括衬底区域，该衬底区域包括源极区域和漏极区域。晶体管还可包括栅极区域，该栅极区域包括主栅极部分、一个或多个栅极尖端、以及一个或多个相应...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

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