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形成含碳外延硅层的方法技术
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文档序号:10320758
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在第一方面中,提供一种在基材上形成外延层叠层的方法。此方法包含:(1)选择所述外延层叠层的目标碳浓度;(2)在所述基材上形成含碳硅层,所述含碳硅层所具有的初始碳浓度、厚度以及沉积时间中的至少之一依据所选择的目标碳浓度进行选择;以及(3)在蚀...
该专利属于应用材料公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料公司授权不得商用。
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