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互连接触结构及其制造方法技术
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文档序号:10314119
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本发明公开了一种互连接触结构及其制造方法,该制造方法包括形成由多个半导体接触垫构成的一叠层,半导体接触垫耦合于一电路的各个有源层。半导体接触垫包括多个外周围,各个外周围具有一侧壁,侧壁耦合于各个有源层。杂质是沿着外周围注入以形成多个外周围低...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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