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随着氮化物半导体组件应用扩大，除了具有高亮度外，降低组件操作电压与提高静电耐压的重要性也随之提高，本发明的氮化物组件，于p型氮化镓接触层成长高掺杂锥状接触层，此锥状接触层为不连续成长，提供较低的接触电阻，降低了组件操作电压与提升了静电耐压能...
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