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本发明公开了一种表面增强拉曼散射探测芯片及其制备方法,利用水热法,在硅片上原位生长纳米花型ZnO,通过物理的非溶剂磁控溅射法制备三维ZnO-Ag复合材料,这种复合材料既有较高的表面增强拉曼效应,同时在该复合材料上修饰探针,构建具有表面增强拉...该专利属于中国工程物理研究院化工材料研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国工程物理研究院化工材料研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种表面增强拉曼散射探测芯片及其制备方法,利用水热法,在硅片上原位生长纳米花型ZnO,通过物理的非溶剂磁控溅射法制备三维ZnO-Ag复合材料,这种复合材料既有较高的表面增强拉曼效应,同时在该复合材料上修饰探针,构建具有表面增强拉...