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本发明公开了一种无耗尽注入的耗尽型PMOS管结构，将CMOS工艺中多晶硅栅极现有技术通行的使用N型杂质重掺杂的做法改为使用P型杂质掺杂，并且对P型掺杂浓度进行适当调整，改变多晶硅栅极和硅之间的功函数差得到一种低夹断电压的耗尽型PMOS管。本...
该专利属于无锡市晶源微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡市晶源微电子有限公司授权不得商用。

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