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本发明公开了一种GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法，所述方法包括以下步骤：a.基片生长步骤；b.基片预处理步骤；c.量子点的制备步骤；和d.量子点样品的分块封装步骤。...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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