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一种夹心结构的电容制造技术
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文档序号:10311327
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本发明公开了一种夹心结构的电容,包括P衬底、扩散在P衬底上的阱区、在阱区之上的第一电容、在第一电容之上的第二电容、在第二电容之上的第三电容、在第三电容之上的第四电容,还包括连接金属,所述第一、第二、第三、第四电容通过连接金属连接为一个总电容...
该专利属于无锡市晶源微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过无锡市晶源微电子有限公司授权不得商用。
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