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一种方法包括在衬底上形成III-V族化合物层并且将主掺杂剂注入到III-V族化合物层以形成源极区和漏极区。方法进一步包括将V族物质注入到源极区和漏极区。一种半导体器件包括衬底和衬底上方的III-V族化合物层。半导体器件进一步包括III-V族...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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