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本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜互连技术中应用的可控自形成MnSixOy/Cu3Ge双层阻挡层制备工艺。本工艺采用气相物理共溅射技术，包括镀前处理、偏压反溅清洗、沉积Cu（Ge，Mn）合金层和控温退火等步骤。本发明利用Cu（Ge，Mn...
该专利属于四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学授权不得商用。

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