温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明是有关于一种半导体装置及用以制造半导体装置的方法。其中半导体装置具有阻隔半导体层，用以将植入物渗透入阻隔半导体层下方的半导体层的量降至最低。阻隔半导体层可以具有较细或较小尺寸的晶粒及/或较低浓度的掺杂物，以将植入物渗透入阻隔半导体层下...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。