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本发明提供一种具有P型埋层的硅外延过程中抑制P型杂质自掺杂的工艺，包括步骤：提供硅片，作为制作半导体器件的衬底，所述硅片的表面注入形成有P型埋层和N型埋层，将所述硅片在低温和常压的环境下作烘烤；将所述硅片在低温和常压的环境下作刻蚀，去除所述...
该专利属于上海先进半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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