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本发明公开了一种NAND闪存的镶嵌结构的制造方法。在衬底中的第一介电层及NAND串间的接触窗插塞上先依序形成终止层及第二介电层。在第二介电层上依序形成具有对应接触窗插塞的至少一第一开口的图案化终止层和第三介电层。在第三介电层上形成具有对应第...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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