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本发明能够提供一种氮化物半导体发光元件，具有能够降低来自半导体隆脊的载流子的横向扩散的构造。在｛20－21｝面上的半导体激光器中，在空穴能带中在该异质结生成二维空穴气。生成二维空穴气的异质结从半导体隆脊位置偏离时，该二维空穴气引起p侧的半导...
该专利属于住友电气工业株式会社;索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社;索尼株式会社授权不得商用。

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