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一种GaN基发光二极管的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依序生长缓冲层和n型GaN层；步骤2：采用光刻的方法，在n型GaN层上制备选择性生长掩膜；步骤3：在去掉选择性生长掩膜的n型GaN层的上面依序生长多量子阱层和p型GaN层；步...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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