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一种片上电容器，在后端金属化体之上的无源层中制造有半导电衬底。在片上电容器中配置有至少三个电极，电源通孔和接地通孔与至少三个电极中的至少两个耦合。第一通孔具有到第一电极、第二电极和第三电极中的至少一个的第一耦合配置，第二通孔具有到第一电极、...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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