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一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管环形太赫兹探测器天线制造技术
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下载一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管环形太赫兹探测器天线的技术资料
文档序号:10261679
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本发明公开了一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管(FET)环形太赫兹(THz)探测器天线,属于天线领域。本发明包括环形天线,Si基FET,低噪声放大器;其中环形天线用于接收THz波,同时把接收到的THz波转化为电信号给FET,FET...
该专利属于天津工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过天津工业大学授权不得商用。
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