一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管环形太赫兹探测器天线制造技术

本发明专利技术公开了一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管(FET)环形太赫兹(THz)探测器天线，属于天线领域。本发明专利技术包括环形天线，Si基FET，低噪声放大器；其中环形天线用于接收THz波，同时把接收到的THz波转化为电信号给FET，FET把高频信号转化为低频信号给低噪声放大器，信号经过低噪声放大器后最终能实现对THz信号的探测。本发明专利技术在安保扫描、射电天文、生物遥感、生产监控等领域具有重要应用。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管(FET)环形太赫兹(THz)探测器天线，属于天线领域。本专利技术包括环形天线，Si基FET，低噪声放大器；其中环形天线用于接收THz波，同时把接收到的THz波转化为电信号给FET，FET把高频信号转化为低频信号给低噪声放大器，信号经过低噪声放大器后最终能实现对THz信号的探测。本专利技术在安保扫描、射电天文、生物遥感、生产监控等领域具有重要应用。【专利说明】—种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管环形太赫兹探测器天线
本专利技术涉及天线技术和太赫兹技术，特别涉及环形天线技术。
技术介绍
太赫兹(THz)波是指频率在0.1THz到IOTHz范围的电磁波，波长在0.03mm到3mm范围内，介于毫米波与红外之间，即通常所认为的电子学与光学的交界区域。但是由于THz波在空气中较高的损耗，需要高增益的发射源和足够灵敏的探测天线，使其无法在通信领域商业化，制约了技术的发展，因此这一频段是有待开发的空白频段，也被称为THz间隙。由THz波具有瞬态性、宽带性、高时间和空间相干性、低能性以及独特的传输特性等特点，使其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管(FET)环形太赫兹(THz)探测器天线，其特征是：该环形天线和FET集成在Si基上，同时利用扩展半球Si透镜提高环形天线的增益；环形天线阻抗较大，易于实现与FET的阻抗匹配；环形天线引出端口1和端口2，分别与对应的两个FET的栅极相连，同时在两个FET的共源极上加上偏压V2，以提高探测器的灵敏度；环形天线外加偏压V1，以激活FET工作的阈值电压；THz信号通过天线接收后，通过FET将高频信号转换为低频信号给低噪声放大器；FET通过50欧姆的微带传输线(TL1和TL2)与低噪声放大器相连，这样易于实现输入输出端口的阻抗匹配；低噪声放大器将信号放大，最...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李建雄，李运祥，蒋昊林，陈晓宇，刘崇，袁文东，
申请(专利权)人：天津工业大学，
类型：发明
国别省市：天津;12