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一种形成包含垂直纳米线的半导体结构的方法，该方法包括提供包含基板及在该基板上方的纳米线的半导体结构。该纳米线包含第一半导体材料并且朝该基板的垂直方向延伸。在该基板上方形成材料层。该材料层环状地包围该纳米线。对于该材料层选择性地移除该纳米线的...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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