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本发明公开了一种外延工艺腔体温度校准的方法，属于半导体集成电路中衬底的外延工艺领域，首先建立硅本征外延层厚度-机台腔体温度的映射关系，在生产工艺监控过程中，检查硅本征外延层是否存在局部厚度超过预设阈值，进而通过温度调节装置校准机台腔体温度。...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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