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大气环境下双火焰法在绝缘基底上原位生长石墨烯的方法技术
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文档序号:10221708
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本发明公开了大气环境下双火焰法在绝缘基底上原位生长石墨烯的方法,预先在SiO2基底上沉积镍膜,然后再利用镍膜的渗碳/脱碳机理及非平衡表面偏析过程,在SiO2基底上形成石墨烯薄膜。在镍膜的上下两个面都会生长出石墨烯薄膜,然后把镍膜和外层的石墨...
该专利属于山东师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过山东师范大学授权不得商用。
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