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本发明提供一种纯二氧化硅侧壁的腔体结构、复合腔体及其形成方法，该腔体结构的形成方法包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成二氧化硅层；对二氧化硅层作图形化，形成凹槽；提供键合片，将其与二氧化硅层键合，在硅衬底与键合片之间形成密闭的侧壁为二氧化硅的...
该专利属于上海先进半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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