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本发明公开了一种横向功率MOS高压器件，包括P型衬底、设置在P型衬底上的N型有源层、设置在N型有源层上的场氧化硅层和位于MOS器件顶端两侧的源电极区、漏电极区，其特征在于：所述P型衬底包括第1层P型硅层至第n层P型硅层，所述n层P型硅层与(...
该专利属于重庆大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆大学授权不得商用。

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