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一种静态存储单元及其形成方法，其中，静态存储单元的形成方法包括：提供包括第一区域和第二区域的半导体衬底，其中第一区域用于形成下拉晶体管，第二区域用于形成上拉晶体管；形成位于半导体衬底表面的掩膜层，掩膜层具有位于第一区域的第一开口和位于第二区...
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